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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT NPT 1,7kV 100A 830W PLUS247™

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Code: TMEIXGX100N170
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT NPT 1,7kV 100A 830W PLUS247™ - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieNPT
Kollektor-Emitter-Spannung1.7kV
Kollektor-Emitter-Strom100A
Verlustleistung830W
GehäusePLUS247™
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls600A
MontageTHT
Gate-Ladung425nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit285ns
Ausschaltzeit720ns
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung