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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT PT 900V 43A 337W TO247-3

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Code: TMEAPT43GA90BD30
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT PT 900V 43A 337W TO247-3 - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Transistor-TypIGBT
TechnologiePOWER MOS 8®
TechnologiePT
Kollektor-Emitter-Spannung900V
Kollektor-Emitter-Strom43A
Verlustleistung337W
GehäuseTO247-3
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls129A
MontageTHT
Gate-Ladung116nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit28ns
Ausschaltzeit246ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode