GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Einheiten auf Lager i | 29 Menge |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPT40GP90B2DQ2G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Transistor IGBT PT 900V 50A 543W T-Max - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | POWER MOS 7® |
| Technologie | PT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 900V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 50A |
| Verlustleistung | 543W |
| Gehäuse | T-Max |
| Gate - Emitter Spannung | ±30V |
| Kollektorstrom im Impuls | 160A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 145nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 37ns |
| Ausschaltzeit | 220ns |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |