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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT PT 900V 50A 543W T-Max

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Code: TMEAPT40GP90B2DQ2G
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT PT 900V 50A 543W T-Max - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Transistor-TypIGBT
TechnologiePOWER MOS 7®
TechnologiePT
Kollektor-Emitter-Spannung900V
Kollektor-Emitter-Strom50A
Verlustleistung543W
GehäuseT-Max
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls160A
MontageTHT
Gate-Ladung145nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit37ns
Ausschaltzeit220ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode