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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT PT 900V 64A 500W T-Max

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Code: TMEAPT64GA90B2D30
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT PT 900V 64A 500W T-Max - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Transistor-TypIGBT
TechnologiePOWER MOS 8®
TechnologiePT
Kollektor-Emitter-Spannung900V
Kollektor-Emitter-Strom64A
Verlustleistung500W
GehäuseT-Max
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls193A
MontageTHT
Gate-Ladung162nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit44ns
Ausschaltzeit352ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode