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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » Unipolartransistoren » Mit einem N-Typ-Kanal
Transistor N-MOSFET unipolar 100V 9,1A 39W IPAK
| Einheiten auf Lager i | 1235 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIRFU120NPBF |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | INFINEON (IRF) |
Produkt beschreibung
Transistor N-MOSFET unipolar 100V 9,1A 39W IPAK - Produkt beschreibung
| Transistor-Typ | N-MOSFET |
|---|---|
| Technologie | HEXFET® |
| Polarisierung | unipolar |
| Drain-Source Spannung | 100V |
| Drainstrom | 9.1A |
| Leistung | 39W |
| Gehäuse | IPAK |
| Gate-Source Spannung | ±20V |
| Widerstand im Leitungszustand | 210mΩ |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 16.7nC |
| Hersteller | Infineon (IRF) |