GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Einheiten auf Lager i | 80 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEFGA60N65SMD |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR |
Transistor IGBT 650V 60A 300W TO3PN - Produkt beschreibung
| Hersteller | ONSEMI |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 60A |
| Verlustleistung | 300W |
| Gehäuse | TO3PN |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 180A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 284nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |