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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
Transistor IGBT 600V 10A 82W TO220 EAus 0,07mJ EEin 0,26mJ
| Einheiten auf Lager i | 665 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAOT10B60D |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Produkt beschreibung
Transistor IGBT 600V 10A 82W TO220 EAus 0,07mJ EEin 0,26mJ - Produkt beschreibung
| Hersteller | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 10A |
| Verlustleistung | 82W |
| Gehäuse | TO220 |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 40A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 17.4nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 25ns |
| Ausschaltzeit | 80.8ns |
| Sättigungsspannung Kol.-Emitt. | 1.53V |
| Ausschaltenergie | 0.07mJ |
| Einschaltenergie | 0.26mJ |