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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 600V 10A 16,7W TO220F EAus 0,16mJ

Einheiten auf Lager i 380 Menge
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Code: TMEAOTF10B60D
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 600V 10A 16,7W TO220F EAus 0,16mJ - Produkt beschreibung

HerstellerALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom10A
Verlustleistung16.7W
GehäuseTO220F
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls40A
MontageTHT
Gate-Ladung17.4nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit25ns
Ausschaltzeit80.8ns
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.1.53V
Ausschaltenergie0.16mJ
Einschaltenergie0.35mJ