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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » Unipolartransistoren » Mit einem N-Typ-Kanal
Transistor N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 50A 318W HIP247™
| Einheiten auf Lager i | 41 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMESCT50N120 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | ST MICROELECTRONICS |
Produkt beschreibung
Transistor N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 50A 318W HIP247™ - Produkt beschreibung
| Transistor-Typ | N-MOSFET |
|---|---|
| Technologie | SiC |
| Technologie | SiCFET |
| Polarisierung | unipolar |
| Drain-Source Spannung | 1.2kV |
| Drainstrom | 50A |
| Leistung | 318W |
| Gehäuse | HIP247™ |
| Gate-Source Spannung | -10...25V |
| Widerstand im Leitungszustand | 70mΩ |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 122nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Hersteller | ST MICROELECTRONICS |