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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » Unipolartransistoren » Mit einem N-Typ-Kanal
Transistor N-MOSFET unipolar 1000V 8,2A 350W TO247
| Einheiten auf Lager i | 147 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMESTW13NK100Z |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | ST MICROELECTRONICS |
Produkt beschreibung
Transistor N-MOSFET unipolar 1000V 8,2A 350W TO247 - Produkt beschreibung
| Transistor-Typ | N-MOSFET |
|---|---|
| Technologie | MDmesh™ |
| Polarisierung | unipolar |
| Drain-Source Spannung | 1000V |
| Drainstrom | 8.2A |
| Leistung | 350W |
| Gehäuse | TO247 |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Widerstand im Leitungszustand | 56mΩ |
| Montage | THT |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | ESD protected gate |
| Hersteller | ST MICROELECTRONICS |