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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » Unipolartransistoren » Mit einem N-Typ-Kanal
Transistor N-MOSFET unipolar 650V 19A 190W D2PAK
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMESTB38N65M5 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1000 |
| Hersteller: | ST MICROELECTRONICS |
Produkt beschreibung
Transistor N-MOSFET unipolar 650V 19A 190W D2PAK - Produkt beschreibung
| Transistor-Typ | N-MOSFET |
|---|---|
| Technologie | SuperMesh™ |
| Polarisierung | unipolar |
| Drain-Source Spannung | 650V |
| Drainstrom | 19A |
| Leistung | 190W |
| Gehäuse | D2PAK |
| Gate-Source Spannung | ±25V |
| Widerstand im Leitungszustand | 95mΩ |
| Montage | SMD |
| Verpackungs-Art | Rolle |
| Verpackungs-Art | Band |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | ESD protected gate |
| Hersteller | ST MICROELECTRONICS |