- Batterien und Akkumulatoren
- Stromversorgungen
- Kabel und Steckverbinder
- Solartechnik
- Reduktoren und Konverter
- Werkzeuge, Werkzeug
- GSM-Verstärker
- Sicherheitstechnik
- Mobiles Zubehör
- Computerzubehör
-
Elektronische Komponenten
- Widerstände
- Kondensatoren
- Induktivitäten-Drosseln
- Komponenten zur Herstellung von Spulen
- Kristalle, Oszillatoren, Resonatoren
- Frequenzfilter
- Stifte, Ösen, Hülsen
- Sicherungen, Überspannungsschutz
- Transformatoren
- Dioden, Gleichrichterbrücken
- Transistoren
- Thyristoren, Triacs, Diacs
- Integrierte Schaltkreise
- Sensoren für nichtelektrische Größen
- Optoelektronische Bauelemente
- Displays, Touchscreens
- Akustische Wandler, Lautsprecher
- Ventilatoren
- Kühler, Peltier-Elemente
- Motoren, Servomechanismen
- Relais, Schütze und magnetische Kontakte
- Mechanische Schaltelemente
- Steckverbinder, Reduzierstücke
- Klemmleiste
- Leiter und Kabel
- Mechanische Konstruktionskomponenten
- Konstruktionsboxen und -kästen
- Zweckgebundene Konstruktionsmodule
- Programmiergeräte, EPROM-Löschgeräte
- Diskrete Halbleitermodule
- Zubehör für Halbleiter
- Hochspannungsgeneratoren
- Kühl- und Heizsysteme
- Krab. für Versorgungseinr. und Sensoren.
- Encoder
- Komponenten für EMI/EMC
- Einplatinencomputer
- Zubehör für Embedded-Systeme.
- Elektroinstallations material
- Bergbau
- Chemie-Leiterplatten (Leiterplatten mit doppelseitigem Druck)
- Spielzeug, Baukästen
- Messgeräte
- Beleuchtungstechnik
- Zuhause, Büro
- Schutzausrüstung
- Mechanische Elemente
- Automationstechnik
- Robotik
- Die Anderen
- Ausverkauf
Inhalt Warenkorb
Einloggen in Shop
GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » Unipolartransistoren » Mit einem N-Typ-Kanal
Transistor N-MOSFET unipolar 800V 3,8A 110W DPAK
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMESTD7N80K5 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | ST MICROELECTRONICS |
Produkt beschreibung
Transistor N-MOSFET unipolar 800V 3,8A 110W DPAK - Produkt beschreibung
| Transistor-Typ | N-MOSFET |
|---|---|
| Technologie | SuperMesh™ |
| Polarisierung | unipolar |
| Drain-Source Spannung | 800V |
| Drainstrom | 3.8A |
| Leistung | 110W |
| Gehäuse | DPAK |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Widerstand im Leitungszustand | 1200mΩ |
| Montage | SMD |
| Verpackungs-Art | Rolle |
| Verpackungs-Art | Band |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | ESD protected gate |
| Hersteller | ST MICROELECTRONICS |