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MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 200V 155A SP4 Ugs ±30V Idm 832A 781W

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Code: TMEAPTM20AM08FTG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul Diode/Transistor 200V 155A SP4 Ugs ±30V Idm 832A 781W - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung200V
Drainstrom155A
GehäuseSP4
TopologieMOSFET Halbbrücke
TopologieNTC Thermistor
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand10mΩ
Drainstrom im Impuls832A
Verlustleistung781W
TechnologieFREDFET
TechnologiePOWER MOS 7®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar