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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Diode/Transistor 600V 38A SP1 Ugs ±20V Press-in PCB
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTC60DDAM45T1G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 14 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Diode/Transistor 600V 38A SP1 Ugs ±20V Press-in PCB - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Diode/Transistor Drain-Source Spannung 600V Drainstrom 38A Gehäuse SP1 Topologie boost chopper x2 Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 45mΩ Drainstrom im Impuls 130A Verlustleistung 250W Technologie CoolMOS™ Technologie SJ-MOSFET Gate-Source Spannung ±20V Mechanische Montage schraubbar