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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 100V 429A SP6C Ugs ±30V Idm 1900A

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Code: TMEAPTM10UM02FAG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul einzelner Transistor 100V 429A SP6C Ugs ±30V Idm 1900A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung100V
Drainstrom429A
GehäuseSP6C
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand2.5mΩ
Drainstrom im Impuls1900A
Verlustleistung1.66kW
TechnologieFREDFET
TechnologiePOWER MOS 5®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar