GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXFN320N17T2 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul einzelner Transistor 170V 260A SOT227B Ugs ±30V 1070W - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
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| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Drain-Source Spannung | 170V |
| Drainstrom | 260A |
| Gehäuse | SOT227B |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 5.2mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 800A |
| Verlustleistung | 1070W |
| Technologie | GigaMOS™ |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Technologie | TrenchT2™ |
| Kanal-Art | stark |
| Gate-Ladung | 640nC |
| Bereitschaftszeit | 150ns |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |