Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 850В 90А SOT227B Ugs ±40В 1200Вт

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEIXFN90N85X
Упаковка:
Mindestabnahme: 1
Производитель: IXYS

€63.5 (Цена с НДС)
€52.5 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 10+ ks Более
Цена/шт. €51.88 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 850В 90А SOT227B Ugs ±40В 1200Вт - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток850В
Ток стока90А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Полярностьполевой
Сопротивление в открытом состоянии41мОм
Ток стока в импульсном режиме180А
Рассеиваемая мощность1200Вт
ТехнологияHiPerFET™
ТехнологияX-Class
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора340нC
Время готовности250нс
Напряжение затвор-исток±40В
Механический монтажвинтами