Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT


Модуль IGBT одиночный транзистор Urmax 650В Ic 110А SOT227B

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEIXXN110N65B4H1
Упаковка:
Mindestabnahme: 1
Производитель: IXYS

€34 (Цена с НДС)
€28.1 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 2+ ks 10+ ks 25+ ks Более
Цена/шт. €26.58 €26.35 €25 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT одиночный транзистор Urmax 650В Ic 110А SOT227B - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляIGBT
Конструкция диодаодиночный транзистор
Обратное напряжение макс.650В
Ток коллектора110А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе650А
Рассеиваемая мощность750Вт
ТехнологияGenX4™
ТехнологияXPT™
Механический монтажвинтами