Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren


Modul IGBT Transistor/Transistor Brücke H Urmax 1200V

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEGD100HHU120C6S
Packen:
Mindestabnahme: 10
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

(Preis inkl. gesetzl. MwSt.) auf Frage

Menge

Mindestabnahme: 10


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor Brücke H Urmax 1200V - Produkt beschreibung

HerstellerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieBrücke H
Rückspannung max.1200V
Kollektor-Emitter-Strom100A
GehäuseC6 62mm
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
TechnologieNPT Ultra Fast IGBT
Mechanische Montageschraubbar