GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMESTE88N65M5 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | ST MICROELECTRONICS |
Modul einzelner Transistor 650V 55,7A ISOTOP Ugs ±25V 494W - Produkt beschreibung
| Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Drain-Source Spannung | 650V |
| Drainstrom | 55.7A |
| Gehäuse | ISOTOP |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 24mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 352A |
| Verlustleistung | 494W |
| Technologie | MDmesh™ |
| Technologie | MESH OVERLAY™ |
| Technologie | PowerMesh™ |
| Gate-Source Spannung | ±25V |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Mechanische Montage | schraubbar |