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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 110A SP6P Press-in PCB 625W
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTMC120TAM17CTPAG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 110A SP6P Press-in PCB 625W - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 1.2kV |
| Drainstrom | 110A |
| Gehäuse | SP6P |
| Topologie | MOSFET x3 Halbbrücke |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 17mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 300A |
| Verlustleistung | 625W |
| Technologie | SiC |
| Mechanische Montage | schraubbar |