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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 600V 70A SP1 Ugs ±20V Idm 260A

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Code: TMEAPTC60SKM24CT1G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Modul SiC-Diode/Transistor 600V 70A SP1 Ugs ±20V Idm 260A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom70A
GehäuseSP1
Topologiebuck chopper
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand24mΩ
Drainstrom im Impuls260A
Verlustleistung462W
TechnologieSiC
TechnologieSJ-MOSFET
Gate-Source Spannung±20V
Mechanische Montageschraubbar