GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTC60TAM21SCTPAG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 3 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 600V 87A SP6P Ugs ±20V Idm 400A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 600V |
| Drainstrom | 87A |
| Gehäuse | SP6P |
| Topologie | MOSFET x3 Halbbrücke |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 21mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 400A |
| Verlustleistung | 625W |
| Technologie | CoolMOS™ |
| Technologie | SiC |
| Gate-Source Spannung | ±20V |
| Mechanische Montage | schraubbar |