Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul Transistor/Transistor 1kV 59A SP6C Ugs ±30V Idm 312A

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEAPTM100AM90FG
Packen:
Mindestabnahme: 4
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

€416.58 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€344.28 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 4+ ks Mehr
Einzelpreis €344.28 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 4


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul Transistor/Transistor 1kV 59A SP6C Ugs ±30V Idm 312A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
Drain-Source Spannung1kV
Drainstrom59A
GehäuseSP6C
TopologieMOSFET Halbbrücke
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand105mΩ
Drainstrom im Impuls312A
Verlustleistung1.25kW
TechnologieFREDFET
TechnologiePOWER MOS 7®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar