GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEAOTF10B65M2 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1000 |
| Hersteller: | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Transistor IGBT 650V 10A 12W TO220F EAus 0,13mJ EEin 0,18mJ - Produkt beschreibung
| Hersteller | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 10A |
| Verlustleistung | 12W |
| Gehäuse | TO220F |
| Gate - Emitter Spannung | ±30V |
| Kollektorstrom im Impuls | 30A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 24nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 28ns |
| Ausschaltzeit | 131ns |
| Sättigungsspannung Kol.-Emitt. | 1.6V |
| Ausschaltenergie | 0.13mJ |
| Einschaltenergie | 0.18mJ |